ORGANISATION VON FUNKTIONEN DER BETRIEBSKONTROLLE VON BASISSTRUKTUREN DER PLANARTECHNOLOGIE Al-Si-SiO2 und Al-Si-SiO2-Si3N4
Geräte auf der Grundlage eines ellargefüges Metall-Dielektrikum-Halbleiter (MDH) sind in der modernen Mikroelektronik dominierend. Ihre Betriebseigenschaften und Stabilität werden größtenteils durch elektrophysikalische Eigenschaften der Trenngrenze Dielektrikum-Halbleiter bestimmt, d.h. durch Rekombinations- Generations- und Ladungsparameter. Sie alle sind gegenüber der komplizierten Gesamtheit von Operationen sehr sensibel, die in der realen Produktion angewandt werden.
Demzufolge ist die Erforschung der Wechselbeziehung von technologischen und physikalischen Charakteristiken einerseits aus der Sicht der Festkörperphysikprobleme von Interesse, andererseits kann sie als ein aktuelles Kontrollinstrument dienen.
Von uns wird die Gesamtheit von Methodiken angewandt, unter denen die grundlegende - Messung von spektralen Abhängigkeiten der EMK des photomagnetischen Effekts (PME) – mit einer hohen Präzision ermitteln lässt: die Lebensdauer von Minoritätsträgern und die Geschwindigkeit der Oberflächenrekombination als Funktion praktisch aller aktuellen Operationen wie Oxidationsverfahren von Silizium und Legierungsverfahren von SiO2-Schichten mit Bor und Phosphor sowie Niedertemperaturtemperung mit Abscheidungs- und Ätzverfahren von Si3N4 -Schichten usw.
Die von uns vorgeschlagene theoretische Durcharbeitung von Problemen und der Komplex von Geräte- und Programmmitteln ermöglichen es, eine frühzeitige Diagnostik der Qualität von Strukturen sowie auch komplexe Laboruntersuchungen vorzunehmen.