Организации функций межоперационного контроля базовых структур планарной технологии Al-Si-SiO₂ и Al-Si-SiO₂-Si₃N₄;

Приборы на основе слоистых структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) являются доминирующими в современной микроэлектронике.Их рабочие характеристики и стабильность во многом определяются электрофизическими свойствами границы раздела диэлектрик-полупроводник: рекомбинационными,генерационными параметрами,а также зарядовыми. Все они очень чувствительны к сложной совокупности операций,используемых в реальном производстве.
Вследствие этого исследование взаимосвязи технологических и физических характеристик с одной стороны,представляет интерес с точки зрения проблем физики твердого тела,а с другой- может служить актуальным инструментом контроля.

Нами используется совокупность методик среди которых основная- измерение спектральных зависимостей э.д.c.фотомагнитного эффекта (ФМЭ) позволяет с высокой точностью определять времена жизни неосновных носителей и скорость поверхностной рекомбинации как функцию практически всех актуальных операций (режимы окисления кремния и легирования слоев SiO₂ бором и фосфором и низкотемпературные отжиги,методами осаждения и травления слоев Si₃ N₄ и т.д.)
Предлагаемая нами теоретическая проработка проблемы и комплекс аппаратно-программных средств
позволяет осуществить раннюю диагностику качества структур,а также проводить комлексные лабораторные исследования.